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技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 600
• Vce(sat),Max(V) 2.1
• Ton(us) 0.18
• Toff(us) 0.5
• Rth(j-c),K/W 0.041
• Pc(W) 3650
• 封装 EconoDual3
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 低V（CESAT）
• T（VJ OP）=150℃
• V（CESAT）具有正温度系数
• 高功率密度
• 隔离底板
• 标准外形
优点：
• 紧凑型模块
• 容易和**可靠的组装
• 满足任何插头和电缆要求
• 理想的低电感系统设计
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 感应加热
**高性能，效率和可靠性的IGBT
• 工业焊接
• 不间断电源（UPS）
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品